Tài liệu Điện - Điện tử

Download tài liệu Điện - Điện tử

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 21: Frequency Response of Amplifiers (I): Common-Emitter Amplifier

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 21: Frequency Response of Amplifiers (I): Common-Emitter Amplifier. The following will be discussed in this chapter: Review frequency domain analysis, BJT and MOSFET models for frequency response, Frequency Response of Intrinsic Common-Emitter Amplifier, Effect of transistor parameters on fT.

3/30/2020 3:16:48 PM +00:00

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 20: Transistor Amplifiers (II) - Other Amplifier Stages

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 20: Transistor Amplifiers (II) - Other Amplifier Stages. The following will be discussed in this chapter: Common­drain amplifier, common­gate amplifier.

3/30/2020 3:16:40 PM +00:00

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 19: Transistor Amplifiers (I) - Common­ Source Amplifier

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 19: Transistor Amplifiers (I) - Common­Source Amplifier. The following will be discussed in this chapter: Amplifier fundamentals, common-source amplifier, common-source amplifier with current-source supply.

3/30/2020 3:16:31 PM +00:00

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 18: The Bipolar Junction Transistor (II) - Regions of Operation

Lecture 18: The Bipolar Junction Transistor (II) - Regions of Operation. The following will be discussed in this chapter: Regions of operation, large-signal equivalent circuit model, output characteristics.

3/30/2020 3:16:23 PM +00:00

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 17: The Bipolar Junction Transistor (I) - Forward active regime

Lecture 17: The Bipolar Junction Transistor (I) - Forward active regime. The following will be discussed in this chapter: The Bipolar Junction Transistor (BJT), structure and basic operation, I­V characteristics in forward active regime.

3/30/2020 3:16:12 PM +00:00

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 16: The pn Junction Diode (III)

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 16: The pn Junction Diode (III). The following will be discussed in this chapter: I­V Characteristics (Review), small­signal equivalent circuit model, carrier charge storage.

3/30/2020 3:15:56 PM +00:00

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 15: The pn Junction Diode (II)

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 15: The pn Junction Diode (II). The following will be discussed in this chapter: I­V characteristics, forward Bias, reverse Bias.

3/30/2020 3:15:48 PM +00:00

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 14: The pn Junction Diode (I) - I­V Characteristics

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 14: The pn Junction Diode (I) - I­V Characteristics. The following will be discussed in this chapter: pn junction under bias, IV characteristics.

3/30/2020 3:15:42 PM +00:00

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 13: Digital Circuits (III)

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 13: Digital Circuits (III). The following will be discussed in this chapter: CMOS Inverter: Propagation Delay; CMOS Inverter: Power Dissipation; CMOS: Static Logic Gates.

3/30/2020 3:15:34 PM +00:00

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 12: Digital Circuits (II)

The following will be discussed in this chapter: NMOS inverter with resistor pull-up, NMOS inverter with current-source pull-up, complementary MOS (CMOS) inverter, static analysis of CMOS inverter.

3/30/2020 3:15:20 PM +00:00

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 11: Digital Circuits (I)

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 11: Digital Circuits (I). The following will be discussed in this chapter: Introduction to digital circuits, the inverter, NMOS inverter with resistor pull-up.

3/30/2020 3:15:08 PM +00:00

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 10: MOSFET (III)

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 10: MOSFET (III). The following will be discussed in this chapter: Low-frequency small-signal equivalent circuit model, high-frequency small-signal equivalent circuit model.

3/30/2020 3:14:56 PM +00:00

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 9: MOSFET (II)

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 9: MOSFET (II) - MOSFET I-V characteristics (contd.). The following will be discussed in this chapter: The saturation region, backgate characteristics.

3/30/2020 3:14:43 PM +00:00

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 8: MOSFET(I) - MOSFET I-V Characteristics

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 8: MOSFET(I) - MOSFET I-V Characteristics. The following will be discussed in this chapter: MOSFET: cross-section, layout, symbols; qualitative operation; I-V characteristics.

3/30/2020 3:14:35 PM +00:00

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 7: PN Junction and MOS Electrostatics (IV)

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 7: PN Junction and MOS Electrostatics (IV). The following will be discussed in this chapter: Overview of MOS electrostatics under bias, depletion regime, flatband, accumulation regime, Threshold, inversion regime.

3/30/2020 3:14:28 PM +00:00

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 6: PN Junction and MOS Electrostatics (III)

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 6: PN Junction and MOS Electrostatics (III). The following will be discussed in this chapter: Introduction to MOS structure, electrostatics of MOS in thermal equilibrium, electrostatics of MOS with applied bias.

3/30/2020 3:14:12 PM +00:00

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 5: PN Junction and MOS Electrostatics (II)

Lecture 5: PN Junction and MOS Electrostatics (II) - PN junction in thermal equilibrium. The following will be discussed in this chapter: Introduction, electrostatics of pn junction in thermal equilibrium, the depletion approximation, contact potentials.

3/30/2020 3:14:01 PM +00:00

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 4: PN Junction and MOS Electrostatics(I)

Lecture 4 - PN Junction and MOS Electrostatics(I): Semiconductor Electrostatics in Thermal Equilibrium. The following will be discussed in this chapter: Non­uniformly doped semiconductor in thermal equilibrium; relationships between potential, φ(x) and equilibrium carrier concentrations, po(x), no(x)–Boltzmann relations & “60 mV Rule”; quasi­neutral situation.

3/30/2020 3:13:54 PM +00:00

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 3: Semiconductor Physics (II): Carrier Transport

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 3: Semiconductor Physics (II): Carrier Transport. The following will be discussed in this chapter: Thermal Motion, carrier drif, carrier diffusion.

3/30/2020 3:13:48 PM +00:00

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 2: Semiconductor Physics (I)

The following will be discussed in this chapter: Intrinsic Intrinsic bond model : electrons lectrons and holes, generation and recombination, intrinsic semiconductor, doping: extrinsic semiconductor, charge neutrality.

3/30/2020 3:13:41 PM +00:00

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 1: Overview

Lecture Microelectronic devices and circuits - Lecture 1: Overview. The following will be discussed in this chapter: Introductory subject to microelectronic devices and circuits, microelectronics is the cornerstone of: Com uter revolution, communications revolution, consumer Electronics revolution.

3/30/2020 3:13:28 PM +00:00

Quantum transport through a “charge” kondo circuit: Effects of weak repulsive interaction in luttinger liquid

Investigate theoretically quantum transport through the “charge” Kondo circuit consisting of the quantum dot (QD) coupled weakly to an electrode at temperature T + ∆T and connected strongly to another electrode at the reference temperature T by a single-mode quantum point contact (QPC). To account for the effects of Coulomb interaction in the QD-QPC setup operating in the integer quantum Hall regime we describe the edge current in the quantum circuit by Luttinger model characterized by the Luttinger parameter g. I

3/30/2020 2:44:08 PM +00:00

Thiết kế bộ điều khiển tốc độ băng tải sử dụng điều khiển thích nghi mô hình tham chiếu hiệu chỉnh với toán tử tham chiếu

Bài viết đề xuất phương pháp giảm ảnh hưởng của nhiễu biên độ giới hạn bằng toán tử tham chiếu, cho bộ điều khiển tốc độ băng tải sử dụng điều khiển thích nghi mô hình tham chiếu hiệu chỉnh.

3/30/2020 11:58:44 AM +00:00

Tính toán ứng suất, biến dạng của rotor động cơ đồng bộ nam châm vĩnh cửu khởi động trực tiếp dưới tác dụng của lực điện từ

Bài viết đánh giá ảnh hưởng của lực điện từ ứng với suất và biến dạng của động cơ; từ đó tạo cơ sở cho việc tối ưu hóa động cơ khi tính đến các yếu tố ảnh hưởng từ biến dạng cơ học.

3/30/2020 11:37:35 AM +00:00

Thiết bị thu thập dữ liệu không dây sử dụng cảm biến áp điện ứng dụng trong đo dao động kết cấu cầu

Đo dao động của kết cấu nhịp là một trong những khâu quan trọng trong kiểm định cầu. Thiết bị đo không dây có nhiều ưu điểm như kích thước nhỏ gọn, thiết lập và thao tác đơn giản, và chi phí quá trình kiểm định thấp hơn. Tuy nhiên, hiện nay giá thành thiết bị còn khá cao và đa số nhập ngoại. Nội dung chính của bài báo tập trung nghiên cứu chế tạo thiết bị DAQ không dây và chương trình sử dụng cảm biến áp điện PVDF phục vụ việc đo dao động của kết cấu cầu. Bên cạnh đó, kết quả đo dao động tại cầu Lam Kinh, Thanh Hóa với thiết bị không dây cũng được phân tích và so sánh với giá trị thu được từ thiết bị tiêu chuẩn sử dụng cáp kết nối.

3/30/2020 11:33:09 AM +00:00

An ninh tiền tệ trong hoạt động ngân hàng

Bài viết trình bày khái niệm và bản chất an ninh tiền tệ, ổn định hoạt động ngân hàng, an toàn hoạt động ngân hàng, sự vững mạnh của ngân hàng.

3/30/2020 11:02:04 AM +00:00

Ứng dụng phương pháp tán xạ tia X góc nhỏ đánh giá ảnh hưởng thăng giáng mật độ điện tử đến các cấu trúc vi mô của màng dẫn proton trong pin nhiên liệu

Thăng giáng mật độ điện tử hiện diện khắp nơi trong dữ liệu cường độ tán xạ tia X góc nhỏ (SAXS) nhưng ảnh hưởng rất lớn và nghiêm trọng đối với các cấu trúc được ghi nhận ở vùng vector tán xạ góc lớn, bởi vì đóng góp của thăng giáng mật độ điện tử tại vùng này lớn hơn 90% tổng cường độ tán xạ. Vật liệu màng dẫn proton poly(ethylene-cotetrafluoroethylene) ghép mạch poly(styrene sulfonic acid) (ETFE-PEM) chứa các cấu trúc vi mô với các kích thước khác nhau, gồm cấu trúc lamellar, cấu trúc vùng chuyển tiếp pha và cấu trúc vùng dẫn proton. Các cấu trúc này có mối quan hệ chặt chẽ với các tính chất của màng như tính dẫn proton, tính hấp thụ nước, độ bền cơ lý, độ bền hóa học, độ bền nhiệt và các tính chất khác nên có liên hệ với hiệu quả hoạt động và hiệu suất của pin nhiên liệu. Trong nghiên cứu này, các tác giả sử dụng mô hình Vonk bậc 6 (Vonk 6) để đánh giá thăng giáng mật độ điện tử ảnh hưởng đến các cấu trúc vừa nêu bằng phương pháp SAXS.

3/30/2020 10:22:56 AM +00:00

Nhận dạng khuôn mặt trong video bằng mạng nơ ron tích chập

Deep Learning là thuật toán dựa trên một số ý tưởng từ não bộ tới việc tiếp thu nhiều tầng biểu đạt, cả cụ thể lẫn trừu tượng, qua đó làm rõ nghĩa của các loại dữ liệu. Deep Learning được ứng dụng trong nhận diện hình ảnh, nhận diện giọng nói, xử lý ngôn ngữ tự nhiên. Hiện nay rất nhiều các bài toán nhận dạng sử dụng Deep Learning, vì nó có thể giải quyết các bài toán với số lượng lớn các biến, tham số kích thước đầu vào lớn với hiệu năng cũng như độ chính xác vượt trội so với các phương pháp phân lớp truyền thống, xây dựng những hệ thống thông minh với độ chính xác cao. Trong bài báo này, các tác giả nghiên cứu mạng nơ ron tích chập (CNN - Convolutional Neural Network) là một trong những mô hình Deep Learning tiên tiến cho bài toán nhận dạng khuôn mặt từ video.

3/30/2020 10:21:56 AM +00:00

Nikola Tesla thiên tài về điện hai chiều

Bài viết giới thiệu về nhà thiên tài Nikola Tesla cũng như các phát minh của Tesla và các công trình lý thuyết đã làm nên cơ sở của hệ thống phát điện xoay chiều, bao gồm cả hệ thống phân phối điện nhiều pha và động cơ điện xoay chiều, giúp tạo ra Cách mạng công nghiệp lần 2.

3/30/2020 10:19:45 AM +00:00

Thời gian tán xạ của điện tử trong giếng lượng tử GaAs/InGaAs/GaAs ở nhiệt độ hữu hạn có xét đến hiệu ứng tương quan trao đổi

Bài viết khảo sát tỉ số thời gian tán xạ vận chuyển τt và thời gian hồi phục đơn hạt τs của khí điện tử tựa hai chiều (Q2DEG) trong giếng lượng tử ghép mạng không đối xứng hữu hạn GaAs/InGaAs/GaAs ở nhiệt độ bất kỳ có xét đến hiệu ứng tương quan – trao đổi thông qua hiệu chỉnh trường cục bộ LFC với gần đúng G = 0, gần đúng Hubbard GH, và gần đúng tự hợp STLS GGA.

3/30/2020 9:17:57 AM +00:00